电子信息工程学院举办冯哲川教授学术报告会

6月12日下午，苏州工学院电子信息工程学院举办学术报告会。美国肯尼索州立大学冯哲川教授应邀作题为“宽禁带氮化镓和氮化铝基材料的拉曼/椭偏光谱学和相关多重学科探索与研究”的学术报告。报告会由副院长韩志达主持，副院长王书昶出席，2025级光电信息工程专业研究生参加。

冯教授指出，以SiC、III族氮化物为代表的第三代半导体正成为研究前沿。他重点介绍了团队运用高分辨X射线衍射、拉曼散射光谱、椭偏光谱等多种技术对AlN、GaN基材料取得的研究突破：温度变化导致AlN薄膜双轴应力从压缩突变为拉伸；对含与不含Al₂O₃插入层的GaN/Si(111)异质结构及AlGaN-GaN HEMT进行变温光谱分析，揭示了缺陷关联的电子-声子相互作用，为高温高功率光电器件优化设计提供了重要参考。冯教授还表达了与学院拓展合作的意愿。

报告会后，师生与冯教授围绕宽禁带半导体光谱表征及器件应用前景深入交流。此次报告拓宽了研究生学术视野，对推动学院光电信息工程学科建设与科研发展具有积极意义。冯哲川教授从事宽能隙半导体研究四十余年，发表约900篇论文，被引9300余次，2013年荣膺SPIE会士。